深圳市万世达电子有限公司

2N7002

　　晶体管*性:N沟道 　　漏*电流, Id *大值:280mA 　　电压, Vds *大:60V 　　开态电阻, Rds(on):5ohm 　　电压 @ Rds测量:10V 　　电压, Vgs *高:2.1V 　　功耗:0.2W 　　工作温度范围:-55to 150 　　封装类型:SOT-23 　　针脚数:3 　　SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 　　SMD标号:702 　　功率, Pd:0.2W 　　外宽:3.05mm 　　外部深度:2.5mm 　　外*度/高度:1.12mm 　　封装类型:SOT-23 　　带子宽度:8mm 　　晶体管数:1 　　晶体管类型:MOSFET 　　温度 @ 电流测量:25°C 　　满功率温度:25°C 　　电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 　　电压, Vds 典型值:60V 　　电流, Id 连续:0.115A 　　电流, Idm 脉冲:0.8A 　　表面安装器件:表面安装 　　通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm 　　通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm 　　阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

　　阈值电压, Vgs th *高:2.5V

　　SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

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